奈米線之製造方法及其半導體元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099143262

專利證號

I 430355

專利獲證名稱

奈米線之製造方法及其半導體元件

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2014/03/11

技術說明

一種奈米線的製造方法，其包含有下列步驟：步驟1：提供一半導體塊狀基材；步驟2： 於該半導體塊狀基材表面上依序沈積一二氧化矽層與一氮化矽層；步驟3：於該氮化矽 層表面上形成一圖案化光阻層；步驟4：利用該圖案化光阻層為罩幕對該氮化矽層與該 二氧化矽層進行蝕刻，並蝕刻移除部分該半導體塊狀基材，以形成一凸出部；步驟5： 移除該圖案化光阻層，並形成一隔離層，該隔離層覆蓋於該半導體塊狀基材上並顯露出 該氮化矽層、該二氧化矽層與部分該凸出部；步.驟6：移除該氮化矽層與氧化矽層，隨 後依序沈積一介電層與一覆蓋於該介電層上之多晶矽層，該介電層覆蓋該隔離層與自該 隔離層顯露出之該凸出部；以及步驟7：對該多晶矽層進行非等向性蝕刻，以在該凸出 部邊襯之該介電層上形成一奈米線。 The present invention discloses a nanoWire fabrication method and a semiconductor element using a nanoWire fab ricated thereby. The method of the present invention com prises steps: providing a substrate; sequentially depositing a silicon dioxide layer and a silicon nitride layer on the sub strate; forming a patterned photoresist layer on the silicon nitride layer; using the patterned photoresist layer as a mask to etch the silicon nitride layer and the silicon dioxide layer With the substrate partly etched aWay to form a protrusion; removing the patterned photoresist layer to form an isolation layer; removing the silicon nitride and the silicon dioxide layer, sequentially depositing a dielectric layer and a polysili con layer; and anisotropically etching the polysilicon layer to form nanoWires on a region of the dielectric layer, Which is around sidewalls of the protrusion.

備註

本部(收文號1080079312)同意該院108年12月11日國研授半導體企院字第1081301803號通報專利終止維護案。

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