轉移側向覆蓋生長磊晶層之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091115966

專利證號

I 300589

專利獲證名稱

轉移側向覆蓋生長磊晶層之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2008/09/01

技術說明

本案係在提供一種轉移側向覆蓋生長磊晶層之方法，該方法包括下列步驟：(a)提供一第一基 板；(b)形成一第一磊晶層於該第一基板上；(c)形成一遮罩層於該第一磊晶層上，並蝕刻該 遮罩層以形成至少一圖案；(d)形成一第二磊晶層於該遮罩層上；(e)接合一第二基板於該第 二磊晶層上，該第二基板與該第二磊晶層間之接合介面視需要可加入不同之接合媒介層；以 及(f)濕式蝕刻該遮罩層，並分離該第二磊晶層與該第一磊晶層，以致獲得具有該第二磊品層 之該第二基板。

備註

本部(收文號1060016225)同意該校106年3月7日交大研產學字第1061002219號函申請終止維護專利

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