Tip structure of platinum-platinum silicide-silicon composite field sensor probe and method for forming MSTA strucutre on the probe

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/665,121

專利證號

US 9,255,944 B1

專利獲證名稱

Tip structure of platinum-platinum silicide-silicon composite field sensor probe and method for forming MSTA strucutre on the probe

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2016/02/09

技術說明

一種應用於場感測之白金-矽複合針尖及其製備方法，係以無電鍍模板沉積法(或電子束誘發沉積法(EBID))，利用金屬前驅物溶液與矽探針針尖之局部電化學反應，達成局部、選擇性且可精確控制之白金奈米結構沉積效果，再配合大氣微波退火(atmospheric Microwave Annealing,a-MWA)製程，在白金奈米結構與矽探針針尖間形成局部白金矽化物層，大幅提升針尖導電度及場感測空間解析度之能力。

備註

本會(收文號1120053075)同意該院112年8月8日國研授儀服院字第1120901323號函申請終止維護專利(財團法人國家實驗研究院)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址