太陽能電池結構Solar Cell Structure

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097124537

專利證號

I 368998

專利獲證名稱

太陽能電池結構Solar Cell Structure

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2012/07/21

技術說明

本發明係揭示一種太陽能電池結構，其中該太陽能電池結構包含一基板，該基板上提供一緩衝層，同時該緩衝層上提供一具第二型能帶結構之多層奈米磊晶結構，再於其上定義一p型及一n型區垂直於磊晶層，最後再分別鍍上一p型及一n型金屬電極，完成該太陽能電池。此結構可以使電子及電洞產生後分別於不同的通道流通，以減少電子和電洞之復合，增加載子的生命期。此外利用此奈米結構之能隙可以增加對紅外光的吸收範圍，進而提升太陽能電池之光電轉換效率。 The file discloses a structure of solar cell. The structure of solar cell includes a substrate, a buffer layer, and a multi-layer structure with type II band alignment growth on buffer layer. A p-type and an n-type region are introduced into the vertical structure and a p-type ohmic contact and an n-type ohmic contact are coated. This structure can make electrons and holes flow in different channel preventing carrier recombination to increase the efficiency of solar cell.

備註

本部(收文號1060048584)同意該校106年7月13日中大研字第1061430172號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

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