整合共振帶間穿隧二極體及MOS元件之半導體裝置及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095126234

專利證號

I 308394

專利獲證名稱

整合共振帶間穿隧二極體及MOS元件之半導體裝置及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2009/04/01

技術說明

新RITD-CMOS與新RITD-SRAM及其製作方法

備註

依據103年4月30日該校來函申請終止維護並經本部同意(收創文號1030031427)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址