一種以鎳/銅金屬誘導橫向成長多晶矽薄膜的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/428,132

專利證號

US6,787,434B1

專利獲證名稱

一種以鎳/銅金屬誘導橫向成長多晶矽薄膜的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2004/09/07

技術說明

一種利用鎳/銅金屬誘導成長多晶矽薄膜的方法

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址