NON-VOLATILE STATIC RANDOM ACCESS MEMORY USING A 7T1R CELL WITH INITIALIZATION AND PULSE OVERWRITENON-VOLATILE STATIC RANDOM ACCESS MEMORY USING A 7T1R CELL WITH INITIALIZATION AND PULSE OVERWRITE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/860,763

專利證號

US 9,564,209 B1

專利獲證名稱

NON-VOLATILE STATIC RANDOM ACCESS MEMORY USING A 7T1R CELL WITH INITIALIZATION AND PULSE OVERWRITENON-VOLATILE STATIC RANDOM ACCESS MEMORY USING A 7T1R CELL WITH INITIALIZATION AND PULSE OVERWRITE

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2017/02/07

技術說明

靜態隨機存取記憶體(SRAM)是各式系統晶片(SoC)內部的必須單元。在近年來物聯網(IoT)以及可攜式電子(Wearable)產品中，晶片對於低功耗的要求也越來越多。然而傳統靜態隨機存取器待機漏電耗能大，一般解決方法為將資料搬動到另外一塊非揮發性記憶體內，然而這個方法不但開關機需搬動資料耗能大，且受限於傳輸介面的輸入輸出端數導致開關機資料搬動時間隨容量而增加。 此研究結合新興高密度、高低阻態比值大的非揮發性統靜態隨機存取記憶體，來達到面積小、搜尋速度快、低耗能的需求。 The instant disclosure relates to a static random access memory cell; in particular, to a non-volatile static random access memory using a 7T1R cell with initialization and pulse overwrite.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址