製作高功率發光二極體的方法及其製品METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DEVICE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/205,213

專利證號

US 7,118,930 B1

專利獲證名稱

製作高功率發光二極體的方法及其製品METHOD FOR MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DEVICE

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2006/10/10

技術說明

一種製作高功率發光二極體的方法，包含下列步驟：(A)提供一具有一磊晶體的藍寶石基板，及一具有一由可被一雷射 光分解的材料所製成的中間膜的第一基板，第一基板是由可被雷射光穿透的材質所製成；(B)利用一貼合模黏合磊晶體 及中間膜；©將藍寶石基板研磨達一小於50μm的預訂厚度； (D)利用雷射光照射第一基板裂解中間膜的材料，以分離 第一基板及藍寶石基板；(E)以一蝕刻移除貼合膜。該方法可製作出一高功率發光二極體，包含：一具有一磊晶面及一 相反磊晶面的背光而且一預度厚度小於50μm的藍寶石基板及一形成在藍寶石基板之磊晶面的磊晶體。

備註

本部(收文號1070026132)同意該校107年4月18日興產字第1074300247號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

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