半導體晶片製造方法Fabricating Method of Semiconductor Chip

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102130670

專利證號

I 531004

專利獲證名稱

半導體晶片製造方法Fabricating Method of Semiconductor Chip

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2016/04/21

技術說明

本案發明提供一種半導體晶片製造方法，包含下列步驟：提供基板，該基板之第一面包含有非晶半導體層；於非晶半導體層表面上形成第一金屬層；進行熱製程，使該第一金屬層與部份之非晶半導體層反應生成非晶金屬半導體化合物層；以及進行微波退火步驟，使非晶金屬半導體化合物層重組成多晶金屬半導體化合物層，並且可以同時活化下方的摻雜。於提供半導體晶片製造方法，以形成超薄低電阻值的金屬半導體化合物，又能同時完成源/汲極摻雜區之活化及晶格修復，以有效提升深次微米尺寸MOSFET的效能。 A fabricating method of a semiconductor chip includes: providing a substrate, wherein a first surface of the substrate has an amorphous semiconductor layer; forming a first metal layer on the amorphous semiconductor layer; performing a heat process to conduct a reaction between the first metal layer and portions of the amorphous semiconductor layer so as to form an amorphous layer of a metal semiconductor compound ; and performing a microwave annealing process to reform the amorphous layer into a polycrystalline layer of the metal semiconductor compound.

備註

本部(收文號1080079312)同意該院108年12月11日國研授半導體企院字第1081301803號通報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址