氮化鎵金氧半場效電晶體之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

專利證號

169680

專利獲證名稱

氮化鎵金氧半場效電晶體之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2002/12/21

技術說明

本發明可以簡單的、經濟的、製程程序來製造電晶體的閘極氧化層 在氮化鎵半導體材料上，目前電晶體均以矽為材料，且製程已經非 常完備，但受限於矽材料先天上的缺失，使得矽材料在應用於高頻 率、高功率受到了阻礙。發展的目標因而轉移到Ⅲ-Ⅴ族的材料上。 其中以砷化鎵(GaAs)研究最多，其次為氮化鎵(GaN)。綜觀這些材料 的特性，GaN應用於微波元件的潛力頗大，但因關鍵的製程技術尚待 突破，本發明以簡單的製程製作出N型金氧半場效電晶體(MOSFET)。 以場效電晶體來說，又可分為加強型及空乏型，以發明的成果預期 可以作出空乏型及加強型，進一步可達成製作互補型金氧化場效電 晶體(CMOS)。在Si MOSFET製程上，閘極氧化層扮演一重要的角色， 在GaN上很難成長一穩定氧化層，以沉積方式最為常見，如物理或化 學氣相沉積，但此項設備卻所費不貲。所以吾人將利用已經應用於 矽及砷化鎵之簡單且經濟的液相沉積法在製作氧化層。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

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