垂直式電晶體元件及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103107509

專利證號

I 557915

專利獲證名稱

垂直式電晶體元件及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2016/11/11

技術說明

一種垂直式電晶體元件，包括基材、源極區、半導體通道區、汲極區、閘介電層以及閘電極層。其中，源極區位於基材的一表面上；半導體通道區位於源極區上方；汲極區位於半導體通道區部上方，並藉由半導體通道區與源極區縱向連接。閘介電層覆蓋於半導體通道區的立壁，且鄰接源極和汲極。閘電極層覆蓋於閘介電層上。其中，半導體通道區的橫向尺寸實質小於源極區和汲極區的橫向尺寸。該元件結構可大幅降低源極和汲極的寄生電阻，產生比其它高度微縮元件更高的汲極電流以及效能，同時此結構可以將通道寬度縮得很小，以有效提升元件的通道控制能力。 A vertical transistor comprises a substrate, a source region, a semiconductor channel region, a drain region, a gate dielectric layer and a gate electrode layer. The substrate has a surface and the source region is disposed on the surface. The semiconductor channel region is disposed on the source region. The drain region is disposed on the semiconductor channel region and is vertically connected to the source region by the semiconductor channel region. The gate dielectric layer is disposed on a sidewall of the semiconductor channel region and adjacent to the source region and the drain region. The gate electrode layer is disposed on the gate dielectric layer. The semiconductor channel region has a lateral size substantially less that of the source region and the drain region.

備註

本部(收文號1110009447)同意該校111年2月17日國研授半導體企院字第1111300263號函申請終止維護專利(財團法人國家實驗研究院)

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國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

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