嵌入式記憶體擷取時間量測方法與裝置INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH A BUILT-IN DETECTING CIRCUIT FOR DETECTING MAXIMUM MEMORY ACCESS TIME OF AN EMBEDDED MEMORY

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/601,709

專利證號

US 6,873,557 B2

專利獲證名稱

嵌入式記憶體擷取時間量測方法與裝置INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH A BUILT-IN DETECTING CIRCUIT FOR DETECTING MAXIMUM MEMORY ACCESS TIME OF AN EMBEDDED MEMORY

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2005/03/29

技術說明

本發明「嵌入式記憶體擷取時間量測方法及裝置」主要目的係為降低量測成本，增加量測精 確度、設計能整合於測試流程中，並轉換為數位信號時間數據輸出之記憶體擷取時間量測方 法及裝置。本發明之方法主要技術內容為在於配合記憶體測試之重複步驟，再將記憶體細胞 元寫入和背景相反資料、在讀取時之擷取轉為電壓、電流、電荷、或其他參數，利用下一地 址之上述前二步驟時間，同時以峰值偵測器比較並記錄迄今記憶體擷取時間之最大值。本發 明之裝置特徵再於量測時間開始時，使用控制信號以”窗式”比較峰值偵測器中現在擷取時 間和以前所存時間最大值，以避開比較器延遲時間、安頓時間，使峰值偵測器中所儲存之最 大記憶體擷取時間值為正確值。

備註

本部(收文號1050027638)同意該校105年4月21日清智財字第1059002057號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

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