半導體元件製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102110004

專利證號

I 508191

專利獲證名稱

半導體元件製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/11/11

技術說明

隨著平面顯示器技術的蓬勃發展，薄膜電晶體元件的應用獲得極大的重視。當下，使用薄膜型元件取代外接式積體電路組，已完成製作各種功能型電路於顯示面板上的戲種整合面板技術，已經被廣泛地發展來達成產品輕、薄、低成本與高製作良率的目標。其中，非晶態金屬氧化物半導體由於具有高的載子遷移率、低製程溫度、均勻性極佳以及透明等特性，普便被認未識下個世代顯示器的主流技術之一。本發明提供一種半導體元件製造方法，用以增強依半導體元件之效能，上述製造方法至少包含下列步驟：首先，形成一閘極層於一基板上。接著，形成一閘極絕緣層於閘極層上。其中，上述主動曾由一微波吸收材料所組成。最後，定義一源/汲極於主動層上，並進行一微波退火程序，以形成半導體元件。 A method for fabricating a semiconductor device is disclosed in the present invention. The abovementioned method at least comprises the following steps. First, a gate is formed on a substrate. A gate insulating layer is then formed in the gate, and futher an acive layer is disposed on the gate insulating layer wherein the active layer is composed of a microwave absorbing material. Source/drain are defined on the active layer to form the semiconduvtor device, and a microwave annealing process is finally performed thereon.

備註

本會(收文號1110027136)回應該校111年5月12日陽明交大研產學字第1110015716號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

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連絡電話

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