表面上具有標記之矽材料及其形成方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095124898

專利證號

I 296735

專利獲證名稱

表面上具有標記之矽材料及其形成方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2008/05/11

技術說明

本發明係關於一種矽材料或矽晶圓標記之方法，包括一CO2雷射系統、承載試片之機構、玻璃或塗覆金屬膜的基材及矽材料或矽 晶圓試片。一般在半導體積體電路的製造過程中，常會使用雷射光束在晶圓上刻劃記號，包括晶圓代號(wafer id)、產品批號 (lot number)、產品型號、廠商商標及製造日期等，目前產業以飛秒雷射、準分子雷射或Nd:YAG雷射為主，但此類雷射非常昂貴 且因為光束強烈的轟擊晶圓表面，往往會有飛散潑濺碎片及大量應力的產生而影響良率。因此，為了改善上述缺點，本發明提出 以廉價的CO2雷射搭配一片玻璃或鍍上金屬的玻璃，來突破以往CO2雷射無法加工標記矽晶圓的刻板印象，其富有標記速度快、可 靠性高、低成本、製程簡化且低能量等優點，故不會有潑濺碎片及應力的產生，可有效減少污染及提升良率。

備註

本部(收文號1030032705)同意該校103年5月7日1034500281號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

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