半導體製程方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100122950

專利證號

I 446583

專利獲證名稱

半導體製程方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/07/21

技術說明

本發明提供一種半導體製程方法，包含下列步驟：提供一成長基板；形成一凹凸結構於該成長基板上；形成一半導體元件層於該凹凸結構上；以及改變該成長基板與該半導體元件層的溫度。為了減少成長基板與氮化物元件間的面積，首先使用蝕刻的方式製作出凹凸結構之圖型化成長基板，接著控制氮化物半導體元件之成長於此基板上之上平面（其他地方皆不成長）。再用晶圓接合方式將氮化物半導體元件轉移至接合基板。晶圓接合過程因熱膨脹係數不同， 並產生應力集中。而導致氮化物半導體元件與成長基板剝離。此製程無需使用雷射剝離法，能有效降低成本。 The patterned growth substrate was fabricated by etching technique to decrease the contact area with the nitride semiconductor device. Then the epitaxial growth was processed to fabricate the nitride semiconductor devices, followed by wafer bonding to transfer nitride semiconductor devices to the bonding substrate. Nitride semiconductor devices were separated from the growth substrate owing to stress concentration during wafer bonding. The stress concentration was formed by the different thermal expansion coefficients between the growth substrate and nitride semiconductor substrate. Hence this device fabrication could effectively lower its cost without laser lift off process.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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