差動型氫氣感測器、差動對氫氣感測放大器及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101148933

專利證號

I 457560

專利獲證名稱

差動型氫氣感測器、差動對氫氣感測放大器及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣海洋大學

獲證日期

2014/10/21

技術說明

揭示一種差動型氫氣感測器及其製造方法，可以方便地應用在組裝式或積體式差動對氫氣感測放大器中，從而防止或降低警報系統的錯動。本發明揭示一種能簡化差動型氫氣感測器製程的結構，使得差動對感測放大器中提供「感測」的主動元件、防止「錯動」的參考元件具有完全相同的構件。該差動型氫氣感測器係為一種含蕭基金屬層-半導體層-催氫金屬層之平面結構的金半金二極體，並依據施加到該金半金蕭基二極體之電壓的正、負極性來決定其是作為主動元件、或是作為參考元件，其中、催氫金屬層至少必需能吸附/解離氫氣分子、並可讓氫原子通過、到達該催氫金屬層與半導體層所共同構成之催氫二極體(catalytic diode)的介面，並因該催氫二極體所提供內建電場而極化為偶極層。蕭基金屬層則至少必需能夠刻意讓氫原子無法在其與半導體層所構成之蕭基二極體(Schottky diode)間介面形成有偶極層。 A differential-type hydrogen sensor and fabrication method thereof is disclosed in this invention. The hydrogen sensor disclosed can be conveniently used in assembled or integrated differential-pair sensing amplifiers which can avoid or reduce false alarms. Moreover, a structured differential-type hydrogen sensor will be provided so that a reference device used to avoid false alarms has the same structure as that of an active device used to provide detection in a differential-pair hydrogen sensor. The differential-type hydrogen sensor is structured by a Schottky metal-semiconductor-catalytic metal MSM-type diode. The device type of the structured diode, i.e., active or reference, is determined by the polarity of applied voltage.

備註

本部(收文號1070067128)同意該校107年9月19日海產技字第1070018667號函申請申請終止維護專利

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