利用不同寬度多層量子井增加半導體光電元件之發光頻寬技術

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

法國

專利申請案號

204844

專利證號

0204844

專利獲證名稱

利用不同寬度多層量子井增加半導體光電元件之發光頻寬技術

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2008/09/05

技術說明

利用不同寬度多層量子井增加半導體光電元件之發光頻寬技術

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址