半導體微奈米柱的製作方法與應用

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099140471

專利證號

I 459460

專利獲證名稱

半導體微奈米柱的製作方法與應用

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/11/01

技術說明

氧化鋅微奈米柱的尺寸控制可以用溶液濃度、種子層結晶面大小來達到尺寸大小的控制，在此我們用預先定義好的開口(aperture)，使氧化鋅微奈米柱成長於曝露出的GaN上面。由於氧化鋅晶體結構與其下的GaN極相似，成長出來的氧化鋅微奈米柱具有極好的方向性，成六角形的柱狀，其結晶方向與GaN完全一致，因此用其做為蝕刻遮罩，可以完美定義出適合GaN六角排列的晶面。而這些GaN晶面可以當做下一階段長晶的晶種而形成良好的新GaN長晶層。 This invention utilizes a simple and novel way to fabricate GaN nano-micro rods and use them for applications in photnics and electronics. The fabrication of GaN rods is achieved by etching, so the size and lay-out of GaN rods can be controlled by lithography, whit the rod length can be manipulated by the height of ZnO rods.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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