用於消除疊影及具高反射率之平凹反射鏡及包含其之抬頭顯示器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

105127928

專利證號

I 614528

專利獲證名稱

用於消除疊影及具高反射率之平凹反射鏡及包含其之抬頭顯示器

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2018/02/11

技術說明

隨著平面顯示器之發展日新月異與微機電製程技術的蓬勃發展，平面顯示器內最重要的光學元件-偏光板的產業需求逐日增加，2013 年全球的產值已達72 億美元，目前所採用配向膜的設備(曝光機)皆為一般平行光光源，製作偏光板時需180 度轉向2 次曝光顯影，所需廠房面積相當大，為降低生產成本增加生產效率之需求，世界大廠皆由傳統光學微影製程，因應如此變化國內化工材料高分子產業，積極的投入相關材料製程開發，如奇美實業與日本大廠進行配向模相關技術轉移。相同的顯示面業則開發同調性高之偏振光學製程，如:技術先進之日本就投入此研究與設備開發，使得偏振光曝光機相繼產出，成為下世代平面顯示器面板與3D 電視元件製造資本投資最重要的設備之一。因應平面顯示器普及化與尺寸極大化，國內面板大廠-奇美於2011 年進行次世代配位膜製程的專利布局，由專利申請號100135465 得知，次世代配位膜製程可大幅降低生產成本與生產時間，其中關鍵技術在於深紫外偏振光曝光機，綜觀目前全球曝光機設備廠只有日本已具有相關設備製作能力，然而我國以顯示器為重點產業，產值高達數兆元，卻無相關技術發展。藉由此元件的研究開發，提供穩定單純的偏振光源給於光阻開發商，改善現有之DUV 光阻材料，預期將提昇現有配向膜製程設備之性能，曝光線距由0.5mm 進展至0.1 mm、高深寬比由1：5 提升至1：10，使奇美所布局之次世代配位膜製程得以實現，促使國內半導體設備廠關鍵零組件之深紫外光學鏡片在地化生產，大幅降低國內生產成本並促進產業升級，提升國內半導體設備的自製率，進而擴展版圖前進國際市場，預估將有數百億之產值。 The replacement of the DUV polarization element is also a great market in the lithography equipment maintenance business. In this project, we attempt to localize the key component, DUV polarization element wide-angle polarization filter, and to improve the wavelength stability and intensity of the existing lithography illumination equipment. The high extinction ratio and stable illumination light source will also benefit the photoresist supplier to enhance the performance of the existing DUV photoresist. It is expected to improve the line pitch from 0.5 μm to 0.1μm, and the aspect ratio form 1:5 to 1:10 in the MEMS lithography equipment on hand. To localize the key optical components, such as the lens and optical filter, would dramatically reduce the cost of domestic MEMS, LED, LCD and semiconductor manufacturers. It will also enhance the technology and capabilities for instrument and equipment industry in Taiwan.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

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