可降低晶圓壞率的晶塊切割方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104101451

專利證號

I 552219

專利獲證名稱

可降低晶圓壞率的晶塊切割方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2016/10/01

技術說明

本發明展現了一種能降低晶圓破片率的晶棒切割方法，於晶棒切片過程中，分散側壁對晶棒所產生的應力以保護被切割出的晶圓。製程首先在晶棒上製造奈米結構，而後沉積氧化層在結構表面上；沉積氧化層於側壁上作為保護層是為了避免環氧樹脂殘膠黏在晶棒切割出的晶圓上，這種方法可以提高晶棒切割晶片的良率，並且我們已經證實了奈米結構以及氧化層的配合在實行晶棒切割時是相當有效的。更進一步地說，在晶棒切片製程結束後，因為奈米結構依然存在於晶圓側壁，我們可以預見晶圓本身的機械強度也會有所提升。 The present invention is to disclose an ingot cutting method, which is capable of dispersing a stress resulting from a wafer-dicing process of an ingot to at least one side wall of the ingot, to protect the diced wafers. The ingot was processed to fabricate the nanostructures upon it and further depositing a oxide layer on at least one surface of it. A protection layer of oxide on at least one side wall of an ingot was implemented to prevent epoxy remnants from sticking with the diced wafers of the ingot. This method can bring forth a high yield rate of diced wafers of an ingot. The nanostructures and the oxide layers discover the effective method for mounting the ingot on the plate for dicing to get the plurality of the wafers. This method can even envision the high strength wafer after dicing because of the presence of nanostructures on the sidewall.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址