可撓曲之多孔鎳-氧化釔安定化氧化鋯陽極電極薄層之製法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092106461

專利證號

I243216

專利獲證名稱

可撓曲之多孔鎳-氧化釔安定化氧化鋯陽極電極薄層之製法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2005/11/11

技術說明

1.一種形成多孔梯度鎳-氧化釔安定化氧化鋯(Ni-YSZ)複合鍍層的製法,其包括下列各步驟: (a)電鍍液的製備: 該電鍍液含有0.18至0.36M的氨基磺酸鎳、0.012至0.023M的氯化鎳,和0.33至0.65M的硼酸,且該 電鍍液的pH值範圍為3到4; (b)YSZ聚結顆粒的分散: 用於製備Ni-YSZ複合鍍層之6至8mol%(莫耳百分比)的氧化釔安定化氧化鋯(YSZ)聚結顆粒,其平 均尺寸為次微米至100μm;和 (c)Ni-YSZ的複合電鍍: 以電鍍浴的體積為準,電鍍液中之YSZ聚結顆粒的固含量從0.01到1.0 vol%,將電鍍液輕輕攪拌, 使電鍍液內的YSZ聚結顆粒保持分散,並確保鍍液溫度的均溫。所施加電流密度為1到18A/dm2,並 於50至70℃的溫度區間內,複合電鍍到銅片或ITO/PET基板上,據以形成可撓曲之多孔鎳-氧化釔 安定化氧化鋯陽極電極薄層。

備註

本部(收文號1070012179)同意該校107年2月8日校研發字第1070010604號函申請終止維護專利(臺大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

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33669945

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