次波長結構抗反射薄膜之製造方法及具有次波長結構抗反射薄膜的染料敏化太陽能電池

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104102189

專利證號

I 570430

專利獲證名稱

次波長結構抗反射薄膜之製造方法及具有次波長結構抗反射薄膜的染料敏化太陽能電池

專利所屬機關 (申請機關)

國立虎尾科技大學

獲證日期

2017/02/11

技術說明

在本研究中，主要為利用陽極氧化鋁模板製備聚合物抗反射薄膜來提高染料敏化太陽能電池之入射光穿透率。在論文中，利用旋塗複製法，將陽極氧化鋁模板上的奈米結構複製於PMMA聚合物薄膜上，最後將聚合物抗反射薄膜貼附於染料敏化太陽能電池表面。 染料敏化太陽能電池照光面上，貼附了具有次波長結構的PMMA抗反射薄膜，與裸玻璃所製成之染料敏化太陽能電池相比較，可以有效的提升JSC與轉換效率，由14.77提升至15.79 mA/cm2，轉換效率部分由6.26 %提升至6.79 %，提升了8.47%。 In this study, mainly for the use of anodic aluminum oxide (AAO) template for preparing polymeric anti-reflective film to improve incident penetration of dye-sensitized solar cells (DSSCs). In this paper, anodic aluminum oxide nano-structures are replicated on poly-methyl methacrylate (PMMA) polymer film was by spin-coated replication method, the polymer anti-reflection film attached to the surface of the DSSCs. Dye-sensitized solar cells by light plane, attached to the PMMA films with sub-wavelength anti-reflective structure, with the bare glass dye-sensitized solar cell made of comparison, can effectively improve the JSC and conversion efficiency, increased from 14.77 to 15.79mA/cm2, conversion efficiency increased from 6.26 to 6.79%, improved by 8.47%.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

(05)6315933

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