太陽光光譜全波段吸收之太陽能電池

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099130794

專利證號

I 479667

專利獲證名稱

太陽光光譜全波段吸收之太陽能電池

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/04/01

技術說明

一種太陽光光譜全波段吸收之太陽能電池，其係利用鈷摻雜之二氧化錫作為負型半導體層之材料，因此能夠藉由使用噴塗技術以及在熱壓製程的條件下進行太陽能電池的製作，解決習知技術必須於真空環境下或者於爐管環境進行製程所造成之高成本問題，並且本發明之負型鈷摻雜層配合氧化亞銅之正型半導體層亦可達到太陽光全光譜吸收的能力。除此之外，本發明所使用之負型鈷摻雜層可使用低溫製程進行太陽能電池的製作，因此可使用塑膠材料作為太陽能電池的基板，解決了習知技術因為高溫製程而必須使用耐高溫的基板，如玻璃、矽晶片進行製程的問題。 A full-spectrum absorption solar cell adopts cobalt-doped tin dioxide as an N-type material. Thereby, a solar cell of the present invention can be fabricated by a spray method in a hot pressing fabrication process. The present invention does not need to fabricate a solar cell in a vacuum or furnace system and thus can solve the high cost problem of the conventional technology. The N-type cobalt-doped layer can absorb full spectrum of sunlight. The N-type cobalt-doped layer can be used to fabricate a solar cell with a low-temperature fabrication process. Thus, the present invention does not need to adopt a high-temperature resistant substrate (such as silicon chip or glass) used in the conventional high-temperature fabrication process but can adopt a substrate made of plastic. And, the conversion efficiency of the invention can achieve 1.2%, it is a significant improvement over the oxide-based nanostructures heterojunction solar cells in the world

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址