奈米線電晶體感測元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098142049

專利證號

I 407567

專利獲證名稱

奈米線電晶體感測元件

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2013/09/01

技術說明

一種奈米線電晶體感測元件，特別係指一種結合奈米線通道作為感測應用之奈米線電晶體感測元件，相較於習知的矽奈米線感測元件，奈米線電晶體感測元件至少包括有一閘極、一多晶矽奈米線通道及一天線導體層，藉由該天線導體層有效地隔離該該奈米線通道於待測環境之外，來確保奈米線電晶體感測元件的可靠度及保存能力。隨著半導體製程技術的進步與生醫分析需求大增，使得具有可微小化和可大量製備的場效電晶體式的感測元件成為主流的生醫感測元件之一 A nanowire-based transistor sensing element is provided. It particularly refers to a nanowire transistor sensing element by combining a nanowire channel to be applied to sensing application. When compared to conventional silicon nanowire sensing element, the nanowire transistor sensing element includes at least a gate electrode, a polysilicon nanowire channel and an antenna conductor layer. By means of the antenna conductor layer to completely isolate the nanowire channel from the testing environment, it can improve the reliability and retention of the nanowire transistor sensing element.

備註

本部(收文號1080079312)同意該院108年12月11日國研授半導體企院字第1081301803號通報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

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