記憶體之復新系統及其操作方法MEMORY REFRESH SYSTEM AND OPERATING METHOD THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/616,910

專利證號

US 8,009,498 B2

專利獲證名稱

記憶體之復新系統及其操作方法MEMORY REFRESH SYSTEM AND OPERATING METHOD THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2011/08/30

技術說明

本電路發明係揭露一種記憶體之復新系統及其操作方法。記憶體之復新系統其包含：偵測比較電路、邏輯電路和計時電路。偵測比較電路偵測記憶體中記憶胞之儲存電容之電壓值，並比較電壓值和參考電壓以產生對應之數位碼，每一記憶胞係對應每一數位碼，以形成第一狀態，並於特定時間間隔後偵測每一記憶胞，以形成第二狀態。邏輯電路比較第一狀態和第二狀態以判斷是否改變復新資料的復新週期。計時電路根據邏輯電路判斷之結果改變復新週期。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址