光定址電位感測器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102138424

專利證號

I 487902

專利獲證名稱

光定址電位感測器

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2015/06/11

技術說明

本發明提供一種光定址電位感測器，其至少包含一半導體基底、一感測層與一發光模組。其中，半導體基底具有一正表面與一背表面。感測層係設置於半導體基底之正表面，並具有一感測區域，用以檢測一受測溶液之特定離子或生物物質濃度。至於發光模組，其至少包含一發光單元與一反射單元。上述發光模組設置於半導體基底之背表面，其中發光單元發射出一光線，且光線透過反射單元進行反射而照射於半導體基底。 提出一種新型以光定址電位感測器作為化學影像感測之裝置，可以利用單一光源搭配類比式微振鏡，作為光定址電位感測器之掃描光源，此方式可以快速掃描，任意調整掃描區域之形狀與大小，完全突破現有以LED、OLED、數位式微振鏡或者雷射搭配XY步進馬達的缺點，可以做為即時掃描化學影像，未來搭配光點尺寸微小化與感測器最佳化，即可運用於檢測細胞或者微米等級的生醫感測。 A light addressable potentiometer sensor is disclosed in the present invention and at least comprises a semi-conductor base, a sensing layer and a light emitting module. The semi-conductor base has a front surface and a rear surface. The sensing layer, which has a sensing zone, is disposed on the front surface of the semi-conductor base for detecting a specific ionic concentration or a biomass concentration of a solution under measurement. As to the light emitting module, it at least comprises a light emitting unit and a reflecting unit. The light emitting module is located close to the rear surface of the semi-conductor base. When the light emits a light, the light will be reflected to the semi-conductor base by the reflecting unit.

備註

本部(收文號1110027877)同意該校長庚大學111年5月12日長庚大字第1110050166號函申請終止維護專利(長庚大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

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