在玻璃基板上製作單晶矽薄膜電晶體之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092114625

專利證號

I 234235

專利獲證名稱

在玻璃基板上製作單晶矽薄膜電晶體之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2005/06/11

技術說明

本發明係一種在玻璃基板上製作單晶矽薄膜電晶體之 方法，其係利用具單一晶格方向的矽基板作為晶種以觸發 非晶矽薄膜側向成長單晶矽薄膜的方法，作法為將非晶矽 薄膜與有圖案之單晶矽基板面對面接觸後，利用準分子雷 射從背面穿透玻璃基板使正面的非晶矽薄膜得以單晶矽基 板上之圖案為晶種側向成長單晶矽薄膜，如此便可進一步 在玻璃基板上製作單晶矽的薄膜電晶體，作為晶種的矽基 板經過簡單處理後就可重複使用，在量產上並不會增加太 多的製造成本，並具有較高的載子移動率與較好的元件均 勻性及可靠度。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

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