部分隔離矽基板之三族氮化物半導體裝置之製作方法Method of Fabricating III-Nitride Based Semiconductor on Partial Isolated Silicon Substrate

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/093,694

專利證號

US 8,999,849 B1

專利獲證名稱

部分隔離矽基板之三族氮化物半導體裝置之製作方法Method of Fabricating III-Nitride Based Semiconductor on Partial Isolated Silicon Substrate

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/04/07

技術說明

本發明提出一種在矽基板上的III-nitride半導體。透過從上方的方式往下蝕刻，將矽基板進行部分隔離，且矽基板不需要經過刻意磨薄。晶片可以是大面積可避免彎曲的現象。因此，本發明可以提供較簡單的製程流程以及提供較低的成本。此外，對於一個大尺寸的晶片，其元件的崩潰電壓可以提升，由於不需要把矽基板磨薄，且導通電流可以維持一樣，因此散熱問題可被減弱。本發明之主要目的係在於，克服習知技藝所遭遇之上述問題並提供一種從晶片上方直接蝕刻，不需要進行基板轉移以及矽基板深蝕刻之部分隔離矽基板之三族氮化物半導體裝置之製作方法。 本發明之次要目的係在於，提供一種可使其線寬問題有效解決，並且省去基板轉移中必須磨薄矽基板造成元件接續製程不易與大尺寸晶片容易產生彎曲（bowing）現象等製程問題之部分隔離矽基板之三族氮化物半導體裝置之製作方法 A semiconductor is fabricated on a silicon (Si) substrate. The semiconductor is III-nitride based. The Si substrate is partially isolated. Etching is directly processed from top on a chip for solving wire-width problem. The Si substrate does not need to be made thin. The chip can be large scaled and be prevented from bowing. Thus, the present invention simplifies producing procedure and reduces production cost. Besides, for a large-scaled chip, the breakdown voltage is enhanced; and, without making the Si substrate thin, the on-state current is remained the same and the heat problem is weakened.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

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