窄半高寬ZnInP/ZnS量子點的製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110103091

專利證號

I 763281

專利獲證名稱

窄半高寬ZnInP/ZnS量子點的製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立虎尾科技大學

獲證日期

2022/05/01

技術說明

本發明之目的在於開發一種能有效降低ZnInP/ZnS半高寬之方法，其能替代前述現有技術存在半高寬太寬所導致NTSC色域面積太小的問題，從而提升ZnInP/ZnS量子點所製造之白光元件的應用領域和市場價值。 為了達成前述目的，本發明提供一種量子點之製造方法，其包括步驟(a)：使用不同前驅物並加入羧酸錯合劑與一包覆劑反應，作為第一混和液，後注入另一前驅物並調控反應溫度與時間得到第二混和液。(b)：混合該第二混合液與硫前驅物，並令其於不同溫度與時間下反應，乾燥得到一量子點。 依據本發明，藉由調控第二混和液不同反應時間，本發明量子點之製造方法可有效降低量子點的半高寬，故能實質達到增加元件NTSC的色域面積，從而克服前述現有技術存在半高寬過寬與色域面積太小的問題。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

(05)6315933

網址