電子元件金屬化製程的表面活化方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093132566

專利證號

I242814

專利獲證名稱

電子元件金屬化製程的表面活化方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2005/11/01

技術說明

本發明旨在利用電漿離子佈值技術將觸媒植入擴散阻絕層的表面，活化目標物表面；再藉由 無電鍍銅技術對晶片進行金屬化製程。這個發明可捨棄傳統無電鍍銅製程須藉由氯化錫與氯 化鈀水溶液對目標物分別預先施以敏化及活化的步驟。藉由電漿離子佈值大面積、高純度及 可調變佈值能量之特性；獲得大面積、高純度且附著性良好的活化層。再施予後續無電鍍銅 處理後發現，本製程成長的銅模與擴散阻絕層間具有良好的附著強度。對線寬約100奈米級的 引洞與溝槽亦具有傑出的步階覆蓋與填洞能力。經熱處理後，擴散阻絕層與銅模介面亦無敗 損之現象，證實其亦具有良好的電性與結構可靠度。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址