靜電放電防護電路及積體電路

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

105133764

專利證號

I 595628

專利獲證名稱

靜電放電防護電路及積體電路

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣師範大學

獲證日期

2017/08/11

技術說明

近年來，積體電路製程演進迅速，從過去微米製程進入到現今可望量產之10奈米製程，其積體電路晶片可靠度問題備受考驗，靜電放電 (Electrostatic Discharge, ESD) 往往是造成電子元件、晶片等受到過度電性應力 (Electrical Overstress, EOS) 破壞的主因。而ESD帶來之損壞大多為不可逆之破壞，因此針對ESD設計出適當之防護元件及電路勢在必行。 為解決靜電放電，實務上多採用：二極體、電晶體、矽控整流器……等元件製成防護電路，並將防護電路掛在訊號輸出入接點以保護內部電路，當電路操作為高速或高頻時，防護電路將影響原先電路之阻抗匹配及訊號傳遞；在元件設計上，必須考量其防護元件對原先電路之影響程度。 本專利設計發明以二極體及電阻組成之全新靜電放電防護電路，在元件設計上針對訊號傳遞提出特別設計，其特點在於對原先電路訊號影響足夠低，並能提供靜電放電路徑，有效達成靜電放電防護。 To solve the ESD, the chip designers usually use components like diodes, transistors, and silicon-controlled rectifiers to realize the ESD protection circuit. Also hang the protection circuit on the signal output contacts to protect the internal circuit. When operating the circuit in high-frequency, the protection circuit will affect the impedance matching and signal transmission of the high-speed or high-frequency circuits, therefore the element must be designed to consider their impact on the high-speed or high-frequency. The present invention is a new ESD protection design for high-speed applications, which specially designed for signal transmission. It characterized in providing electrostatic discharge path, and low affection on the original circuit signal. Thus effectively achieve the ideal of electrostatic discharge protection.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作組

連絡電話

77341329

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