具水平形式的儲存單元且在垂直方向彼此分離的雙閘極多位元SONOS記憶體及其製作方法具水平形狀的儲存單元且在垂直方向彼此分離的雙閘極多位元SONOS記憶體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095131122

專利證號

I309477

專利獲證名稱

具水平形式的儲存單元且在垂直方向彼此分離的雙閘極多位元SONOS記憶體及其製作方法具水平形狀的儲存單元且在垂直方向彼此分離的雙閘極多位元SONOS記憶體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2009/05/01

技術說明

除了在NDL國家奈米實驗室進行實做外，我們也利用學界、商業界廣泛使用之ISE製程模擬軟體 加以驗證。我們同時以現有SOI技術製作，SOI製程的成熟，證明此元件的可行性。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址