發明
中華民國
094123324
I 253770
發光二極體及其製造方法
國立中央大學
2006/04/21
一種發光二極體的製造方法,包括下列步驟。首先在一磊晶基板上依序形成一第一型摻雜半導 體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層。然後,在第二型摻雜半導體層上形成一第一透明 導電層。提供一轉移基板,並在轉移基板上形成一第二透明導電層。對於磊晶基板與轉移基板 進行一晶圓接合製程,以使第一透明導電層與第二透明導電層結合。最後,移除磊晶基板。基 於上述,本發明之發光二極體的製造方法能夠製造出具有較佳可靠度與較佳發光效率的發光二 極體。此外,本發明亦揭露一種發光二極體。
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