半導體反應裝置與方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

107144628

專利證號

I 685059

專利獲證名稱

半導體反應裝置與方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2020/02/11

技術說明

本發明揭露一種半導體反應裝置與方法。該裝置包括一真空腔體、一載台單元、一加熱單元以及一第一升降機構。載台單元承載一基板，當載台單元帶動基板上升時，基板隔離真空腔體而形成一反應空間與一底部空間。加熱單元設置於真空腔體內，加熱單元與基板位於載台單元的相反側。第一升降機構與加熱單元連接，加熱單元藉由第一升降機構可相對於載台單元移動。當基板上升而與真空腔體形成一反應空間時，半導體反應裝置係藉由第一升降機構改變加熱單元與基板之間的距離，進而改變基板的溫度。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址