蕭特基二極體結構及其製造方法Schottky Diode Structure and Method for Fabricating the Same

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/816,765

專利證號

US 8,436,361 B2

專利獲證名稱

蕭特基二極體結構及其製造方法Schottky Diode Structure and Method for Fabricating the Same

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/05/07

技術說明

　　蕭特基二極體(Schottky diode)是一種應用廣泛的功率整流元件，例如應用於電源供應開關、電源轉換器、馬達控制、電信開關、工廠自動化、電子自動化、低電壓轉換等。雖然蕭特基二極體具有高速開關特性，但要達到最有效率的操作，在材料的選擇及元件的設計尚須朝向低逆向漏電流、高崩潰電壓、低開啟電壓的特性邁進，而良好的蕭特基二極體最重要的特性則為高切換速度及低切換損失(switching loss)。 而本發明的目的即在於提出一種氮化鎵蕭特基二極體的結構及其製造方法，其可提升蕭特基二極體的崩潰電壓，並有效降低電場的不均勻分佈，避免基板或氮化鎵層的電場過高而發生崩潰。 none

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址