一種自動對準場效電晶體結構與其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095141322

專利證號

I311344

專利獲證名稱

一種自動對準場效電晶體結構與其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2009/06/21

技術說明

一種自組裝場效電晶體，此自組裝場效電晶體結構包括基底、介電層、導體電極與奈米碳管。 基底中可具有經定義的背面導體電極作為閘極。介電層配置於基底上。導體電極配置於介電層 上作為源極、汲極。圖形化之源極及汲極導體電極含金屬矽化物如矽化鈷作為奈米碳管成長催 化劑。奈米碳管配置於介電層上。奈米碳管配置於介電層上，且與源極、汲極等導體電極電性 連接。本專利使用之催化劑是一種目前CMOS製程已用之材料，因此無因材料造成污染及元件破壞之顧忌，且是一種自動形成之製程，製程較為簡單。 本專利使用之催化劑是一種目前CMOS製程已用之材料，因此無因材料造成污染及元件破壞之顧忌，且是一種自動形成之製程，製程較為簡單，深具競爭力。 本專利適用於CMOS製程，對國內半導體業產業深具價值。

備註

本部(收文號：1080064215)同意該校108年9月26日清智財字第1089006309號函申請終止維護。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址