金氧半場效電晶體之閘極結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091121939

專利證號

I 189815

專利獲證名稱

金氧半場效電晶體之閘極結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2003/11/01

技術說明

本發明係提出一種新的合金系統，用以解決金氧半場效電晶體金屬閘極功函數的不適性，促 使表面通道電晶體起始電壓係可有效降低，達到低工作電壓之要求，本合金系統以化學性質 不活潑且熱穩定性極佳的鉑金屬(Pt)為主成分，加入不同比例之低功函數材料，例如：鉭 (Ta)或鈦(Ti)，以達成調整功函數之目的。合金閘的製作方法可以是同時濺鍍(co-sputter) 或是同時蒸鍍(co-evaporation)的物理氣象沉積方式，依所需之成分調整鉑靶及低功函數金 屬靶之沉積速率，以合成適當的鉑合金，亦可以使用事先合成之合金靶，以單純物理性濺鍍 方式製作。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利 (多填I係為了系統儲存規則)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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