有機發光二極體裝置之結構與製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095128665

專利證號

I 333393

專利獲證名稱

有機發光二極體裝置之結構與製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2010/11/11

技術說明

本發明係揭露一種高效率有機發光二極體及其製造方法，此有機發光二極體結構至少包含有基板、第一導電層、含摻雜染料之發光層及第二導電層，且由下而上依序為基板、第一導電層、含摻雜染料之發光層及第二導電層，其中發光層之組成包含主體材料及一種以上之客體材料，而電子或電洞載子注入主體之能障小於注入客體之能障。 本發明係揭露一種高效率有機發光二極體及其製造方法，此有機發光二極體結構至少包含有基板、第一導電層、含摻雜染料之發光層及第二導電層，且由下而上依序為基板、第一導電層、含摻雜染料之發光層及第二導電層，其中發光層之組成包含主體材料及一種以上之客體材料，而電子或電洞載子注入主體之能障小於注入客體之能障。 A high efficiency organic light emitting diode (OLED) and a manufacturing method are disclosed. The OLED apparatus includes a substrate, a first electrically conductive layer, a hole-transporting-layer, a doped emissive-layer, an electron-transporting-layer, an electron-injection-layer and a second electrically conductive layer. The arrangement from bottom to top is the substrate, the first electrically conductive layer, the hole-transporting-layer, the doped emissive-layer, the electron-transporting-layer, the electron-injection-layer and the second electrically conductive layer. The emissive layer is composed of one host material and more than one light-emitting guest materials. The barrier for carrier, hole or electron, to inject into the host is smaller than that into the guest(s).

備註

本會(收文號1110060946)同意該校111年9月29日清智財字第1119007219號函申請終止維護專利(國立清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

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