適用於三維晶片的缺陷測試方法及系統

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

106110815

專利證號

I 606531

專利獲證名稱

適用於三維晶片的缺陷測試方法及系統

專利所屬機關 (申請機關)

義守大學

獲證日期

2017/11/21

技術說明

三維晶片利用晶片內部的矽穿孔技術提供層與層之間的垂直連線來達到減少晶片內電路彼此間接線長度與提升輸出入端頻寬的效果。穿矽通孔（TSV）用作在3D堆疊集成電路（IC）的堆疊之間輸送電源和信號的介質。 TSV的測試很重要，因為單個不可修復的TSV可能導致整個三維晶片失效。 一些TSV結構缺陷，例如針孔和空隙，其難以捕獲，因為它們的存在通常影響TSV性能參數而不是TSV邏輯功能。 本專利提出了一種使用S參數的新型非破壞性故障檢測方法，以區分故障類型，並且可預測TSV的3D IC中的故障定位。 Through silicon vias (TSVs) act as media to transport power supply and signals among stacks of a 3D stacked integrated circuit (IC). The testing of TSVs is important as a single irreparable TSV can cause an entire stack to fail. There are some TSV structural defects such as pin-holes and voids, which are difficult to capture as they commonly affect TSV performance parameter rather than TSV logical function. In this patent, a novel non-destructive failure detection method using S-parameter is proposed in order to differentiate failure types and also to localize the failure in TSV based 3D ICs.

備註

本部(發文號1090034510)同意貴校109年6月12日義大產字第1090006115號函申請終止維護專利。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學智財營運總中心產學合作與專利技轉中心

連絡電話

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