具有連續性導電帶結構之雙異質接面雙極性電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091135221

專利證號

205862

專利獲證名稱

具有連續性導電帶結構之雙異質接面雙極性電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2004/10/26

技術說明

於本發明案中提出一呈現低導通電壓、低補償電壓、低飽和電壓、高 崩潰電壓與良好電流放大特徵等優良電晶體特性之一種具有連續性導 電帶結構之磷化鎵銦/砷化鎵鋁/砷化鎵雙異質接面雙極性電晶體。此 結構主要特徵即為結合下列各項材料優異之特性：（1）於晶格常數匹 配之限制下，砷化鎵鋁化合物之鋁莫爾分率可以線性漸變方式做適度 之調整，（2）磷化銦鎵與砷化鎵材料之高蝕刻選擇度與較低之介面陷 阱中心密度，（3）當砷化鋁鎵化合物之鋁莫爾分率為0.11時， Al0.11Ga0.89As與In0.49Ga0.51P兩異質材料之電子親和力相同，故兩 相鄰之異質材料其導電帶具連續性之特徵。 Owing to the larger energy gap material used as emitter and collector layers, the conventional InGaP/GaAs double heterojunction bipolar transistors (DHBT’s) exhibited the smaller offset voltage and higher breakdown voltage. Although the typical magnitude of conduction-band discontinuity,

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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