高頻特性量測方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102102035

專利證號

I 408395

專利獲證名稱

高頻特性量測方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立高雄大學

獲證日期

2013/09/11

技術說明

一種高頻特性量測之直通校正基板，其主要是包含一金屬層、一設置於該金屬層頂面的上絕緣介質層、一設置於該金屬層底面的下絕緣介質層，及一高頻電磁波抑制單元。本發明由於在該上、下絕緣介質層分別開設有上、下接觸區，再經由該金屬層形成電連接而構成一雙側直通電路，藉此在不轉動向量網路分析儀之兩探針或是不轉動該直通校正基板本身的前提下，便能從該上、下接觸區雙側下埠，以獲得雙側的校正數據，除此之外，藉由該高頻電磁波抑制單元之兩抑制層的設計，也能使得校正時可有效隔絕高頻電磁波的干擾，提高校正準確度。 A ISS kit can accomplish double-side measurement.

備註

依112.03.27.本會112年第1次研發成果管理審查會決議辦理本會(收文號1110075253)同意該校111年12月8日高大研發字第1111400305號函申請終止維護專利(高雄大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處

連絡電話

07-5919100