一種在矽基板上成長單晶氮化鎵之製程 METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE ON SILICON SUBSTRATE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/615,632

專利證號

US 7,014,710 B2

專利獲證名稱

一種在矽基板上成長單晶氮化鎵之製程 METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE ON SILICON SUBSTRATE

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2006/03/21

技術說明

在異質接面技術未成熟與相關研究報告缺乏的前提下，本專利 提出於矽晶圓上研製氮碳化矽(SiCN)薄膜，作為成長的緩衝層 以利成長氮化鎵元件。此氮碳化矽之緩衝層（buffer-layer） 能有效消除矽與氮化鎵之間的晶格不匹配度，並進而取代藍寶 石基板與碳化矽基板。如此一來，可同時確保氮化鎵元件之品 質與大幅降低製造成本。本專利提出的結構如下：氮化鎵/ 氮 碳化矽/ 矽晶圓於矽晶圓完成以上氮碳化矽之緩衝層結構並測 量其材料特性與電性後，將此基板用來成長氮化鎵薄膜。 Recently, there are great investigations of electronics and optoelectronics based on the group III nitride material systems, for their high thermal conductivity, robust chemical bonding, high breakdown field strength and the established hetero-structure epitaxy technologies. In the group III nitride materials system, GaN is one of the most important wide band gap semiconductor due to its numerous applications in ultraviolet-blue optical devices. However, GaN is generally grown on sapphire or silicon carbide substrates, which is too expensive and not easy to merge these materials into the existing silicon microelectronics industry. Therefore, it would be highly advantageous to grow GaN on silicon substrates due to the potential integration between GaN electronics and silicon technique.

備註

本部(收文號1060027134)同意該校106年4月25日成大研總字第1064500318號函申請終止維護專利

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