利用電漿改善金屬誘發側向結晶層特性的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098102743

專利證號

I 384534

專利獲證名稱

利用電漿改善金屬誘發側向結晶層特性的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2013/02/01

技術說明

一般都知道Ni金屬誘發側向結晶(NILC)即是將Ni擇區的鍍在非晶矽上，而去退火結晶，因為Ni可以降低非晶矽的結晶溫度，而可以在較低溫下達到結晶的效果。但是，在ＮILC的過程中會有與多的鎳金屬矽化物殘留在多晶矽表面或者裡面，這會造成後續元件的電性劣化。 本發明提出利用電漿蝕刻法(反應離子源如: CF4、SF6)將金屬誘發側向結晶多晶矽薄膜的表面移除，使得於表面殘留的金屬成份減小，並且使得氟離子進入多晶矽薄膜內，並且有效的進行缺陷的鈍化(passivation)，導致製作出的元件具有高品質與有可靠度的特性。 主要優點有: 1. 可減少Ni的殘留及污染。 2. 提高元件的品質與可靠度。 It is well known that Ni can reduce the crystallization temperature of amorphous silicon (a-Si). This is commonly called Ni-metal- induced lateral crystallization (MILC). However, in MILC, poly-Si/oxide interfaces and poly-Si grain boundaries trap Ni and NiSi2 precipitates, thus increasing leakage current and shifting the threshold voltage and degrading the electrical properties. In this patent, CF4 plasma was employed to improve the electrical performance and reliability of MILC TFTs. This uncomplicated and effective method involves etching away the top surface of MILC poly-Si and passivating the trap states. The advantage of this patent: 1. decrease the Ni contamination 2. improve the quality and reliability

備註

本部(收文號1080035227)同意該校108年6月4日交大研產學字第1081004865號函申請終止維護專利。

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