堆疊式源/汲極與薄通道之複晶矽薄膜電晶體結構及其製作方法STAGGERED SOURCE/DRAIN AND THIN-CHANNEL TFT STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/410,168

專利證號

US 7,678,623 B2

專利獲證名稱

堆疊式源/汲極與薄通道之複晶矽薄膜電晶體結構及其製作方法STAGGERED SOURCE/DRAIN AND THIN-CHANNEL TFT STRUCTURE AND FABRICATION METHOD THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2010/03/16

技術說明

聲源定位感的合成在３D環場音效中扮演著極為重要的角色。 其中使用頭部轉移函數來實現聲源定位的技術廣泛應用在 家庭娛樂、便攜產品、PC、汽車、耳機以及專業音響中。 但是，此技術在實現上仍有許多的缺點，例如龐大的係數儲 存以及運算量。 導致在實際應用上仍有些限制，尤其一些需要即時運算並合成其聲源定位感的應用。

備註

本部(收文號1060016225)同意該校106年3月7日交大研產學字第1061002219號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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