熱電薄膜的形成方法Method For Forming Thermoelectric Thin Film

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102137412

專利證號

I 521753

專利獲證名稱

熱電薄膜的形成方法Method For Forming Thermoelectric Thin Film

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2016/02/11

技術說明

【發明內容】 【0008】 根據習知技術之缺點，本發明的主要目的是揭露一種可以同時增加導電性及熱電薄膜的西貝克常數(seeback coefficient)熱電薄膜的形成方法，使得該熱電薄膜可以同時具有導電性及導熱性。 【0009】 本發明的另一目的在於在具有導電改質物的條件下下，由於熱電薄膜的西貝克常數上升，可使熱電強度係數(power factor)大於單純只有添加DMSO之具有導電高分子材料的溶液。 【0010】 本發明的再一目的係在於，在高分子熱電材料溶液中添加銨鹽，藉由在烘烤熱電薄膜的過程中，將銨鹽有效的進行熱分解，在這過程中會在熱電薄膜上形成多數個微結構，而熱電薄膜的導熱係數會有明顯的下降，使得熱電優質係數(figure of merit, ZT)再度的提升。 【0011】 根據上述目的，本發明提供一種熱電薄膜的形成方法，其包含先提供具有高分子熱電材料溶液、在具有高分子熱電材料溶液中添加含酸銨(ammonium formate)之鹽類以形成第一混合溶液、將導電改質物添加於第一混合溶液中以形成第二混合溶液、移除第二混合溶液之水份以得到一固體以及烘烤此固體，以形成具有多數個微結構之薄膜，此薄膜即為熱電薄膜其具有良好的導電性以及導熱性可以應用於太陽能電池。 A method for forming thermoelectric thin film is provided. The method includes a solution with polymer thermoelectric material therein which is provided. An ammonium is added into the solution with polymer thermoelectric material to form a first mixture. A conductive modified material is added into the first mixture to form a second mixture. A water or solvent is removed from the second mixture to form a solid. The solid is cured to form a thin film with a plurality of micro-structure therein, whereby the thin film is the theremoelectric thin film which includes a good conductivity and heat dissipation and can apply for the solar cell.

備註

本會(收文號1110027136)回應該校111年5月12日陽明交大研產學字第1110015716號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

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