功率半導體裝置的散熱方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110140786

專利證號

I 776721

專利獲證名稱

功率半導體裝置的散熱方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2022/09/01

技術說明

【中文】 本發明提供一種功率半導體裝置的散熱方法，其包括以下步驟：(a)在一藍寶石基板的一第一表面上磊製一以GaN為主並呈六方晶系結構的緩衝層；(b)在該緩衝層上磊製一呈單斜晶系結構的Ga2O3半導體層；(c)對該Ga2O3半導體層施予一功率半導體裝置的一元件製程；(d)於該Ga2O3半導體層的上方形成一金屬附著層；(e)於該金屬附著層上形成一散熱板；及(f)自相反於該藍寶石基板之第一表面的一第二表面實施雷射剝離技術以移除該藍寶石基板。 【英文】 This invention provides a method for heat dissipating of power semiconductor device, which comprises the steps of (a) epitaxially growing a GaN-based buffer layer that exhibits hexagonal crystal system structure on a first surface of a sapphire substrate; (b) epitaxially growing a Ga2O3 semiconductor layer that exhibits monoclinic crystal system structure on the GaN-based buffer layer; (c) subjecting an device process of a power semiconductor device to the Ga2O3 semiconductor layer; (d) forming a metal adhesive layer above the Ga2O3 semiconductor layer; (e) forming a heat sink on the metal adhesive layer; and (f) conducting laser lift technology from a second surface opposite to the first surface of the sapphire substrate so as to remove the sapphire substrate.

備註

110年2月1日起國立交通大學與國立陽明大學合併為國立陽明交通大學，國立交通大學於110年2月1日後獲證之中華民國專利，申請權人為國立陽明交通大學。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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