非對稱閘極的穿隧式電晶體TUNNELING TRANSISTOR WITH ASYMMETRIC GATE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/052,083

專利證號

US 9,076,764 B2

專利獲證名稱

非對稱閘極的穿隧式電晶體TUNNELING TRANSISTOR WITH ASYMMETRIC GATE

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2015/07/07

技術說明

一種非對稱閘極的穿隧式電晶體，包含一基板、一第一極性部、一第二極性部、一通道部、一閘極結構及一絕緣體。該第一極性部與該第二極性部設置於該基板，該通道部連接於該第一極性部與該第二極性部之間，包含一第一區段及一第二區段；該閘極結構包含一圈繞於該第一區段周圍的包圍部及一覆蓋於該第二區段遠離該基板之一側的平板部；該絕緣體包含一設置於該第一區段與該包圍部之間的第一絕緣部及一設置於該第二區段與該平板部之間的第二絕緣部。據此，本發明藉由該閘極結構的不對稱設計，令該穿隧式電晶體兼具高導通電流及低關閉電流的優點。 The present invention relates to a transistor, and particularly to a tunneling transistor with an asymmetric gate.Therefore the primary object of the present invention is to overcome an issue of an incapability of providing a higher ON current of a conventional tunneling field effect transistor.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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