半導體雷射元件之結構及其製造方法Method of manufacturing semiconductor laser device structure

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/710,843

專利證號

US 7,445,949 B2

專利獲證名稱

半導體雷射元件之結構及其製造方法Method of manufacturing semiconductor laser device structure

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2008/11/04

技術說明

一種半導體雷射元件的製造方法，此方法提供一磊晶層結構，於磊晶層結構上形成第一罩幕 層，以定義出脊狀結構的凸出區域。接著，於磊晶層結構上形成共形的第二罩幕層覆蓋第一罩 幕層。再於第二罩幕層上形成第三罩幕層，以暴露出部分的第二罩幕層。之後，移除暴露出的 第二罩幕層，並以第一與第三罩幕層作為蝕刻罩幕，移除部分磊晶層結構，以形成脊狀結構， 再移除第三罩幕層與剩餘第二罩幕層。接著，於磊晶層結構上形成絕緣層。再移除第一罩幕 層，以暴露出凸出區域的頂面。接著，於磊晶層結構上形成導體層與暴露出的凸出區域頂面相 接觸。 A method of manufacturing a semiconductor laser device includes proving an epitaxial structure, and a first mask layer is formed on the epitaxial structure to definite a outstanding area of a ridge structure. Then, a second mask layer is formed cover the first mask layer, and then a third mask layer is formed to expose a portion of the second mask layer. Then, the exposed second mask layer is removed. A portion of the epitaxial structure is removed by using the first mask layer and the third mask layer as etch mask. The third mask layer and the remainder second mask layer are removed to form the ridge structure, and then an isolation layer is formed on the epitaxial structure. The first mask layer is removed to expose top surface of the outstanding area, and then a conductive layer is formed on the epitaxial structure and contacts with the top surface of the outstanding area.

備註

本部(收文號1050047992)同意該校105年7月7日中大研字第1051430192號函申請終止維護專利97件(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

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