全集成主被動積體光學於矽基積體電路及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103117237

專利證號

I 549259

專利獲證名稱

全集成主被動積體光學於矽基積體電路及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2016/09/11

技術說明

一種全集成主被動積體光學於矽基積體電路及其製作方法，可以同時將光源、光學被動元件、光偵測器、電子電路以CMOS製程製作在標準之矽基板上。本發明利用快速熱熔磊晶法（Rapid Melt Growth, RMG），可在矽電子元件上方形成單晶或合金，且製作方法可以與一般之CMOS製程相容，主要係矽摻雜之活化溫度（950～1100度）與RMG之溫度（>937度）相近，故元件在數秒鐘即可完成底部電晶體活化與薄膜磊晶，因此在製程上可以一起執行以降低熱預算。藉此，本發明使用矽基板取代絕緣矽（SOI）作為基板，可有效降低成本與提高元件散熱性，並透過RMG方法可以解決電子電路及光電元件整合之問題，開發前瞻性光收發器於標準晶圓上，亦可以整合電路設計，達到完全相容之全集成化之光通訊晶片。 A method is provided to integrate all active and passive integrated optical devices on a silicon(Si)-based integrated circuit (IC). A Si-based substrate, instead of a Si-on-insulator (SOI) substrate, is used for integrating the devices. Therefore, cost is down and heat dissipation efficiency is enhanced. Besides, rapid melt growth (RMG) is used for solving problems on integrating the electric circuit and the optical devices. The present invention can be used to develop a proactive optical transceivers on a standard chip; or, to fully and compatibly integrate all devices on a circuit for an optical communication chip.

備註

本部(收文號1100002967)同意該院110年1月12日清智財字第1109000186號函申請終止維護專利(國立清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址