感測放大器SENSE AMPLIFIER

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

14/740,290

專利證號

US 9,378,780 B1

專利獲證名稱

感測放大器SENSE AMPLIFIER

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2016/06/28

技術說明

感測放大器 近年來，非揮發性記憶體普及性高並且應用極廣，其中快閃記憶體因為提供了低成本與高容量的儲存空間，成了非揮發性記憶體中的主流。然而，快閃記憶體需要高電壓與長時間來進行寫入抹除；更糟的是，快閃記憶體在製成微縮下遇到了許多挑戰，像是低儲存單元電流、高偏移臨界電壓與耦合雜訊干擾。相較起來，新興非揮發式記憶體能有效減緩這些問題，並且具有潛力取代快閃記下世代的主流非揮發性記憶體。具有較低的寫入電壓與較快的寫入時間，並且相容於CMOS邏輯製成。這些特性使接觸點電阻式記憶體對於產業界來說極具吸引力。然而，接觸點電阻式記憶體受困於小阻值率及阻值高偏移問題，再加上CMOS邏輯製成本身的偏移問題，提高了正確讀取記憶單元的困難度。為了改善記憶體系統之讀取速度與良率，我們提出了具裕度增強及臨界電壓補償架構之小偏移電壓感測放大器，我們透過臨界電壓補償架構使偏移量在增強架構提升裕度高達3倍的效果。以上兩種架構，使我們的感測放大器可以有效減少位元線電壓發展時間，覆蓋的偏移量。 The present disclosure provides a sense amplifier. The sense amplifier includes a first inverting circuit, a second inverting circuit, a pre-charge circuit, a voltage adjusting circuit, and a discharge circuit. The first inverting circuit has a first input end and a first output end, and the second inverting circuit has a second input end and a second output end, wherein the first input end is coupled to the second output end, and the second input end is coupled to the first output end. The pre-charge circuit is coupled to the first and second output ends, wherein the pre-charge circuit pulls up the voltage levels on the first and second ends according to a power voltage during a pre-charge time period.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

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